omniture

超越CMOS,英特爾探索邏輯器件的未來

英特爾
2018-12-05 17:17 6196
12月3日,《自然》雜志發(fā)表了一篇有關下一代邏輯器件的研究論文,作者包括英特爾、加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發(fā)明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件。

北京2018年12月5日電 /美通社/ -- 12月3日,《自然》雜志發(fā)表了一篇有關下一代邏輯器件的研究論文,作者包括英特爾、加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發(fā)明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件。相較于目前的互補金屬氧化物半導體(CMOS),MESO器件結合超低休眠狀態(tài)功率,有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍。在探求不斷微縮CMOS的同時,英特爾一直在研究超越CMOS時代的未來十年即將出現(xiàn)的計算邏輯選項,推動計算能效提升,并跨越不同的計算架構促進性能增長。

超越CMOS,英特爾探索邏輯器件的未來
超越CMOS,英特爾探索邏輯器件的未來

英特爾資深院士兼技術與制造事業(yè)部探索性集成電路組總監(jiān)Ian Young表示,“我們正在研究超越CMOS時代的計算方案,尋求革命性而不是演進性的突破。MESO以低壓互連和低壓磁電為基礎,將量子材料創(chuàng)新與計算結合在一起。我們對已經(jīng)取得的進展感到非常興奮,并期待著發(fā)揮其潛力,未來做出進一步降低翻轉電壓的演示。”

英特爾研究人員發(fā)明的MESO器件,考慮到了未來計算所需的關于存儲器、互連線和邏輯的要求。英特爾已經(jīng)做出了該MESO器件的原型,采用的是在室溫下呈現(xiàn)新興量子行為的量子材料,以及由Ramamoorthy Ramesh開發(fā)的磁電材料(Ramamoorthy Ramesh就任于加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室)。MESO還利用了由Albert Fert描述的自旋軌道超導效應(Spin-orbit transduction effects,Albert Fert就任于法國國家科學研究院/泰雷茲集團聯(lián)合物理研究組)。

英特爾功能電子集成與制造科技中心主任、資深科學家Sasikanth Manipatruni表示:“MESO器件基于室溫量子材料開發(fā)。它展現(xiàn)了該技術的可能性,并有望在業(yè)界、學術界和各國家實驗室中引發(fā)新一輪創(chuàng)新。而這種新型計算器件和架構所需的許多關鍵材料和技術,還需要進行更多開發(fā)?!?

更多詳細信息,請點擊:可擴展的高能效磁電自旋軌道邏輯DOI)(《自然》雜志)| 全新量子材料可使計算設備超越半導體時代(伯克利新聞)

消息來源:英特爾
China-PRNewsire-300-300.png
相關鏈接:
全球TMT
微信公眾號“全球TMT”發(fā)布全球互聯(lián)網(wǎng)、科技、媒體、通訊企業(yè)的經(jīng)營動態(tài)、財報信息、企業(yè)并購消息。掃描二維碼,立即訂閱!
collection