加利福尼亞州山景城2020年11月18日 /美通社/ -- 新思科技（Synopsys，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，其3DIC Compiler解決方案協(xié)助三星在一次封裝中完成具有8個高帶寬存儲器（HBM）的復雜5納米SoC的設計、實現(xiàn)和流片。借助3DIC Compiler平臺，三星基于硅中介層技術的多裸晶芯片集成（MDI?）能夠擴展用于高性能計算（HPC）的全新SoC設計的復雜性和容量。與3DIC Compiler的合作可提高三星的設計效率，將完成設計所需時間從數(shù)月縮短至數(shù)小時。
為應對HPC等加速發(fā)展市場中的關鍵設計挑戰(zhàn)，先進封裝變得越來越重要。HPC正在推動越來越多的HBM集成到封裝中，以實現(xiàn)更高的帶寬和更快的訪問。每個HBM堆棧的集成都需要成千上萬的額外die-to-die互連，這增加了封裝中多裸晶SoC的設計復雜性，并且從早期探索到設計簽核都需要進行大量的分析。
三星電子制造設計技術部副總裁Sangyun Kim表示：“人工智能和高端網(wǎng)絡應用越來越需要更高水平的集成、更高性能的計算和更多的內存訪問，所有這些都推動了對高級封裝技術的需求“。三星創(chuàng)新的多裸晶芯片集成硅中介層技術可為客戶提供更強大的功能和更高的系統(tǒng)性能，同時還能實現(xiàn)更小的外形尺寸和更快的上市時間。我們與新思科技的合作可為客戶提供全面的協(xié)同設計和協(xié)同分析解決方案，采用三星多裸晶芯片集成技術進行設計，可確保高生產(chǎn)率并縮短生產(chǎn)時間。”
新思科技的3DIC Compiler建基于統(tǒng)一的平臺，可利用感知信號完整性的自動布線和屏蔽功能來提高協(xié)同設計效率。3DIC Compiler為設計自動化提供了一套全面的功能，包括凸塊放置、高密度布線和屏蔽。為了確保設計的穩(wěn)定性，3DIC Compiler還使用三星的硅中介層技術，提供Ansys® RedHawk?系列芯片封裝協(xié)同仿真工具的in-design支持，以全面分析信號和電源完整性、以及封裝中大量HBM堆棧的熱學可靠性。
新思科技設計事業(yè)部系統(tǒng)解決方案及生態(tài)系統(tǒng)支持高級副總裁Charles Matar表示：“SoC團隊在使用多裸晶芯片解決方案為HPC、AI、5G和汽車等前沿應用開發(fā)異構設計時，面臨復雜的設計挑戰(zhàn)。我們與三星的合作為先進集成和技術創(chuàng)新提供了最佳的生態(tài)系統(tǒng)，可加快產(chǎn)品上市時間，為客戶解決復雜的體系結構并降低系統(tǒng)級成本?！?/p>
新思科技專家在10月28日的Samsung Advanced Foundry生態(tài)系統(tǒng)（SAFE）論壇上討論新思科技3DIC Compiler的功能、設計流程方法和針對三星多裸晶芯片集成技術優(yōu)化的支持。有關3DIC Compiler的更多信息，請訪問：https://www.synopsys.com/3DIC。
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