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2代MIPI D-PHY v1.1 IP推出

Arasan Chip Systems, Inc.
2021-01-15 00:11 4826

加利福尼亞州圣何塞2021年1月15日 /美通社/ -- 移動(dòng)和汽車(chē)SoC(片上系統(tǒng))半導(dǎo)體IP的領(lǐng)先供應(yīng)商Arasan Chip Systems今天宣布,從即刻起提供第二代MIPI D-PHY v1.1 IP,支持速度高達(dá)1.5 Gbp的臺(tái)積電(TSMC)22納米工藝技術(shù)用于SoC設(shè)計(jì)。MIPI D-PHY IP針對(duì)可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)顯示屏應(yīng)用進(jìn)行了進(jìn)一步優(yōu)化以降低功耗。這些應(yīng)用中分辨率較低的小型屏幕對(duì)數(shù)據(jù)吞吐量要求較低,但功耗則至關(guān)重要。D-PHY IP還可作為T(mén)x only IP提供,滿足尋求節(jié)省硅面積和進(jìn)一步提高功耗的公司需求。MIPI D-PHY IP與Arasan自有的DSI Tx和DSI Rx IP核無(wú)縫集成,作為其Total MIPI顯示器IP解決方案的一部分應(yīng)用于可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)。

Arasan Sirius MIPI C-PHY / D-PHY ASIC用于臺(tái)積電晶圓代工
Arasan Sirius MIPI C-PHY / D-PHY ASIC用于臺(tái)積電晶圓代工

Arasan的D-PHY IP針對(duì)臺(tái)積公司行業(yè)領(lǐng)先的22納米超低功耗(22ULP)和22納米超低漏電(22ULL)工藝技術(shù)均有提供。臺(tái)積電22納米超低功耗(22ULP)作為一種在功率、性能和面積(PPA)優(yōu)化方面的理想晶圓代工技術(shù)適用于多種應(yīng)用,包括圖像處理、數(shù)字電視、機(jī)頂盒、智能手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品;而其22納米超低漏電(22ULL)技術(shù)顯著降低功耗,支持物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備應(yīng)用。 

Arasan自2005年以來(lái)一直是MIPI協(xié)會(huì)貢獻(xiàn)會(huì)員,其MIPI IP芯片交付量已經(jīng)超過(guò)10億片。Arasan的MIPI D-PHY IP通過(guò)其自有測(cè)試芯片針對(duì)臺(tái)積電28納米工藝得到了驗(yàn)證,自2016年以來(lái)已獲得多家客戶許可,并與其CSI IP和DSI IP一起作為T(mén)otal IP解決方案獲得第三方VIP驗(yàn)證。公司的MIPI CSI、DSI、DPHY和CPHY IP也用于一致性和生產(chǎn)測(cè)試儀,進(jìn)一步證明了Arasan IP的質(zhì)量和一致性。

MIPI D-PHY IP還提供臺(tái)積電40納米、28納米、16納米和12納米工藝技術(shù)的現(xiàn)成可用產(chǎn)品。

此外,針對(duì)Arasan的DPHY IP或CPHY IP獲授權(quán)方,還提供一種以Arasan的ASIC應(yīng)用為基礎(chǔ)的D-PHY/C-PHY組合HDK,用于在投產(chǎn)前制作顯示器或成像產(chǎn)品的原型。因?yàn)榭蛇M(jìn)行臺(tái)積電28納米工藝真正硅材料原型制作,客戶對(duì)Arasan的MIPI D-PHY IP可放心授權(quán)。這被用于MIPI一致性測(cè)試儀,以測(cè)試MIPI CSI、DSI、D-PHY和C-PHY標(biāo)準(zhǔn)一致性。我們確保一致性!

消息來(lái)源:Arasan Chip Systems, Inc.
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