北京2021年6月21日 /美通社/ -- 當(dāng)充電樁在2020年被列入新基建的七大項(xiàng)目之中時，人們似乎看到了一個萬億元的市場即將被撬動，隨之超過26個省市密集出臺了50余項(xiàng)與充電設(shè)施相關(guān)的政策。但現(xiàn)實(shí)是，根據(jù)智研咨詢提供的數(shù)據(jù)顯示，在過去的一年里充電樁的出貨量雖有明顯上升（從12萬到近30萬），卻未出現(xiàn)期望中的井噴。
市場的發(fā)展未能盡如人意，固然有各方利益協(xié)調(diào)的問題，但是從技術(shù)的角度來看也存在著各種阻礙因素，其中最亟需解決的是對于用戶的充電體驗(yàn)至為重要的充電時間，此外則是充電樁信息的實(shí)時交互問題，而這些都聚焦于大功率直流充電樁。
焦慮的充電進(jìn)行時
為了解決電動汽車的充電焦慮問題，更快的充電速度成為快充站的明確要求，實(shí)現(xiàn)充電5分鐘，行駛200公里會成為行業(yè)的普遍要求。充電樁的直流模塊可以通過提高功率密度和提高充電電壓兩個方向升級，前者需要高性能實(shí)時微控制器和支持更高開關(guān)頻率的功率器件，而后者需要的是功率器件更高耐壓以及更高的轉(zhuǎn)換效率，第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件將會是很好的選擇。而且隨著第三代半導(dǎo)體開關(guān)頻率的提高，需要更復(fù)雜的電源拓?fù)浜涂刂扑惴?，因此對于?shí)時控制器的需求也進(jìn)一步提高。
提到直流充電樁的主控部分，就必須提到市場上占據(jù)份額較高的德州儀器(TI)C2000?微控制器。事實(shí)上，C2000微控制器在中國市場久負(fù)盛名，早已廣泛用于電力電子控制領(lǐng)域，并在工業(yè)和汽車應(yīng)用中提供高級數(shù)字信號處理。在過去20多年間C2000微控制器一直處于模數(shù)控制革命的前沿，經(jīng)過不斷發(fā)展，現(xiàn)在的第三代性能更為出色：擁有更強(qiáng)的運(yùn)算能力、更豐富的外設(shè)資源。
C2000微控制器實(shí)施控制器由于內(nèi)置C28x數(shù)學(xué)優(yōu)化型內(nèi)核，具有微控制器和數(shù)字信號處理器雙重優(yōu)勢。通過各種高效率計算內(nèi)核，C2000微控制器可實(shí)現(xiàn)微秒級環(huán)路計算時間。比如在雙向高密度GaN CCM圖騰柱PFC中，利用TMU，C2000微控制器可以將PWM計算從10微秒減少到0.5微秒以下，確保逐個周期進(jìn)行自適應(yīng)死區(qū)計算，從而對GaN FET進(jìn)行最精確和高效的控制。
集成更高級的外設(shè)，是C2000微控制器滿足復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的另一大優(yōu)勢。通過集成3.6M SPS采樣率，12 位至 16 位分辨率的ADC，實(shí)現(xiàn)更高速的電流采樣和電壓采樣；還有150ps分辨率的PWM，這樣就可以滿足第三代半導(dǎo)體更高的開關(guān)頻率，實(shí)現(xiàn)高動態(tài)特性的充電模塊并顯著提高效率、降低尺寸。
為了追求更高的效率而增加總線電壓時，復(fù)雜的多電平拓?fù)渥兊迷絹碓狡毡椤?nbsp;NPC和ANPC拓?fù)涫请p向PFC /逆變器最受歡迎的兩種拓?fù)?，它們可以將開關(guān)設(shè)備上的電壓應(yīng)力限制為總線電壓的一半。但是，這些拓?fù)湫枰獊碜訫CU的更多PWM通道，并且還需要一種特殊的保護(hù)方案以在任何停機(jī)期間維持電源開關(guān)兩端的電壓平衡。C2000微控制器第三代器件提供了獨(dú)特的可配置邏輯塊(CLB)，可實(shí)現(xiàn)板載故障保護(hù)方案，以確保在所有工作條件下均提供實(shí)時保護(hù)，而無需任何外部邏輯電路，類似于FPGAs / CPLDs一樣靈活。例如TIDA-010210 6.6kW 三相三級 ANPC 逆變器/PFC 雙向功率級參考設(shè)計中所呈現(xiàn)。
另一方面，針對快速充電樁高效率、高功率密度的電力電子和非常高的功率密度的設(shè)計目標(biāo)，第三代半導(dǎo)體（包括SiC、GaN等）成為市場上冉冉升起的新星，是實(shí)現(xiàn)碳達(dá)峰、碳中和的最重要的半導(dǎo)體技術(shù)。相比此前兩代，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能，因此可以減少系統(tǒng)散熱成本及無源器件尺寸，可以提供更高能效或更高功率密度，并且降低系統(tǒng)總成本。
SiC由于推出時間早，用戶覆蓋面更廣。不過“SiC和GaN究竟孰優(yōu)孰劣目前下結(jié)論還為時尚早，如果長期來看，硅基GaN在成本方面的下降空間會更大?！钡轮輧x器華北區(qū)技術(shù)支持經(jīng)理付楊表示。無論如何，未來隨著第三代半導(dǎo)體在工藝上的成熟度越來越提高，整體成本優(yōu)勢會更加凸顯。
TI在這兩個方向上均有布局，SiC方面通過提供集成電容式隔離功能的驅(qū)動器，提高系統(tǒng)穩(wěn)健性和可靠性，減小外形尺寸和輕松符合 EMI 標(biāo)準(zhǔn)。而TI在GaN上的布局則可追溯到2010年，2017年與西門子推出了首個10千瓦連接云電網(wǎng)的轉(zhuǎn)換器。而且通過不斷嘗試新架構(gòu)，使GaN適應(yīng)更廣的電壓范圍，比如800V、1000V（可參考），這也為將來在充電樁上看到GaN的身影帶來了更大的可能性。為了保證高可靠性，TI已經(jīng)針對GaN FET進(jìn)行了4000多萬小時的器件可靠性測試和超過5 GWh的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用測試。同時，為了進(jìn)一步提高可靠性和集成度，TI推出了GaN與驅(qū)動集成的器件。更為亮眼的是，TI在GaN方面擁有自己的工藝和工廠，因此可以確保產(chǎn)品品質(zhì)和供應(yīng)的穩(wěn)定性保障。
在充電時長之外，用戶最痛苦的莫過于需要充電時無法確知前方充電樁的使用情況，這就需要利用安全的無線連接技術(shù)遠(yuǎn)程接入和控制。TI可以提供從短距離近場通訊（身份識別、信息保護(hù)）到遠(yuǎn)距離私有協(xié)議通信等各類安全無線連接產(chǎn)品，還可兼容常用的BLE、WiFi通訊技術(shù)。這些就可以讓充電樁實(shí)時更新狀態(tài)，用戶得知它的使用情況。
數(shù)據(jù)安全是用戶和運(yùn)營商都越來越看重的，因此解決方案要求提供安全的身份鑒權(quán)、數(shù)據(jù)通信等功能。在WiFi產(chǎn)品上，TI很早以前就加入了信息安全保護(hù)機(jī)制，比如針對外置Flash的數(shù)據(jù)完整性進(jìn)行驗(yàn)證，防止非授權(quán)訪問和保護(hù)敏感數(shù)據(jù)，以及完善加密通道、密鑰管理等安全機(jī)制。
需要的更多
實(shí)際上，一個更安全、更智能、更快速的充電樁涉及到的技術(shù)遠(yuǎn)不止以上所提到的。比如，超級充電樁由于是大功率高壓戶外場景，具有特殊的安全和可靠性要求，因此在這種場景下使用的隔離器件、柵極器件的穩(wěn)定性和智能化，對功率器件做出的保護(hù)，是直流模塊能否以更安全的狀態(tài)運(yùn)行的前提條件。
據(jù)德州儀器華北區(qū)技術(shù)支持經(jīng)理付楊介紹，TI正在進(jìn)行各個方面的創(chuàng)新研究來應(yīng)對充電樁市場的種種挑戰(zhàn)，其中之一便是如何以更加智能的充電樁來改善用戶體驗(yàn)，這將需要借助邊緣計算和AI技術(shù)。
而在傳統(tǒng)的產(chǎn)品方面，也是在有條不紊地推進(jìn)。比如TI高集成度的下一代電源產(chǎn)品，將電流采樣和隔離、隔離電源管理芯片，集成在一顆更小的芯片中，幫客戶節(jié)省PCB面積和成本；以及在現(xiàn)有的硅器件的基礎(chǔ)上，通過更復(fù)雜的拓?fù)?，在沒有使用更高級的功率器件的情況下實(shí)現(xiàn)更高功率密度……
在擁有先進(jìn)的技術(shù)之外，TI針對不同的用戶和需求，提供多產(chǎn)品線、不同的合作方式，最關(guān)鍵的是，作為一家已深耕中國三十五年的有企業(yè)社會責(zé)任的企業(yè)，愿意通過全面的本地支持，來幫助中國企業(yè)成功，融入到中國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大潮中。
2021年，與碳達(dá)峰、碳中和被首次寫入《政府工作報告》的，還有“增加停車場、充電樁、換電站等設(shè)施，加快建設(shè)動力電池回收利用體系?！睋?jù)工信部于2019年末發(fā)布《新能源汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（2021~2035）》征求意見稿，預(yù)計2030年我國新能源汽車保有量將達(dá)到6420萬輛。即使車樁比不能實(shí)現(xiàn)1:1，也意味著未來充電樁市場必將實(shí)現(xiàn)飛躍式發(fā)展。順潮流而動并能立于潮頭的秘訣是尋找到能夠一步一個腳印，踏踏實(shí)實(shí)靜下心來一個問題一個問題來解決的合作伙伴。一直以來，TI都堅持如此，并致力于創(chuàng)造更好的未來。TI將始終如一，與大家攜手迎接未來挑戰(zhàn)。
