高性能同步器件在統(tǒng)一封裝中堆棧 2 個 NexFET MOSFET 可支持高電流、多相位 POL 應(yīng)用
北京2010年6月9日電 /美通社亞洲/ -- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能。更多詳情，敬請訪問：http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn 。
NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開關(guān)頻率生成高達(dá) 40 A 的電流，可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間，改善整體電路性能。此外，NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實現(xiàn)與 GaN 等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>
CSD86350Q5D 功率模塊的主要特性與優(yōu)勢：
-- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為兩個采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式
MOSFET 器件的 50%；
-- 可在 25 A 的工作電流下實現(xiàn)超過 90% 的電源效率，與同類競爭器件相比，效
率高 2%，功率損耗低 20 %；
-- 與同類解決方案相比，無需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍；
-- 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡化布局。
供貨與價格情況
采用 5 毫米 x 6 毫米 SON 封裝的 NexFET 功率模塊器件現(xiàn)已開始批量供貨，可通過 TI 及其授權(quán)分銷商進(jìn)行訂購。此外，樣片與評估板也已同步開始提供。
查閱有關(guān) TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)的更多詳情：
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難題：http://www.ti.com/nexfetforum-pr；
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TPS40305、TPS51217 以及 TPS51218。
商標(biāo)
NexFET 與 TI E2E 是德州儀器的商標(biāo)。所有商標(biāo)與注冊商標(biāo)均是其各自所有者的財產(chǎn)。
關(guān)于 TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)
TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可為高功率計算、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器系統(tǒng)以及電源降低能耗。這些高頻率高效率模擬功率 MOSFET 可為系統(tǒng)設(shè)計人員實現(xiàn)先進(jìn)的 DC/DC 功率轉(zhuǎn)換解決方案。
關(guān)于德州儀器公司
德州儀器 (TI) 始終致力于幫助客戶從容應(yīng)對任何設(shè)計挑戰(zhàn)，從而開發(fā)出創(chuàng)新的電子解決方案，讓未來世界更智能、更健康、更安全、更環(huán)保以及更精彩。作為全球性的半導(dǎo)體公司，TI 在全球超過 30 個國家設(shè)有制造、設(shè)計或銷售機(jī)構(gòu)。
TI 在紐約證交所上市交易，交易代碼為 TXN。
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