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憶聯(lián)亮相IDC數(shù)字化轉型年度盛典,賦能數(shù)據(jù)存儲安全

2022-10-28 22:02 5202

深圳2022年10月28日 /美通社/ -- 10月26日,由IDC中國主辦的2022 第七屆IDC中國數(shù)字化轉型年度盛典在北京盛大舉行,IDC資深研究團隊、與會企業(yè)家以及業(yè)界專家學者們匯聚一堂,共同探討數(shù)字化轉型熱點話題與發(fā)展趨勢。憶聯(lián)攜旗下存儲產(chǎn)品及解決方案首度亮相本次IDC DX年度盛典。


 


憶聯(lián)自成立以來,一直專注于閃存產(chǎn)品的研發(fā)、制造與創(chuàng)新,在服務器、數(shù)據(jù)中心、個人電腦、移動終端、智能穿戴等應用領域積累了豐富的專業(yè)能力和產(chǎn)品化經(jīng)驗,具備提供端到端的存儲解決方案的能力,已躋身國產(chǎn)SSD存儲廠商前列。

本次IDC DX年度盛典現(xiàn)場,憶聯(lián)分享了在存儲領域的最新技術及應用進展,通過與合作伙伴深入交流與溝通,讓行業(yè)用戶對憶聯(lián)有了更全面、更深入地了解。

憶聯(lián)重點展示了企業(yè)級固態(tài)硬盤UH811a/UH831a、UH611a;消費級固態(tài)硬盤AM630、AM521。


 


憶聯(lián)企業(yè)級固態(tài)硬盤UH811a/UH831a:

采用U.2接口,PCIe Gen 4和NVMe1.4協(xié)議,是國內(nèi)第一家實現(xiàn)國產(chǎn)128L介質成功商用以及第一家支持智能多流的企業(yè)SSD產(chǎn)品,兼具低功耗、低延遲、高耐用等特點,可實現(xiàn)7000/4200MB/s的順序讀寫和1600K/300K IOPS的隨機讀寫,已達到國際領先水平,在服務器、數(shù)據(jù)中心等企業(yè)級應用場景有著出色表現(xiàn)。

憶聯(lián)企業(yè)級固態(tài)硬盤UH611a:

采用憶聯(lián)自研主控和固件,控制器在關鍵數(shù)據(jù)路徑設置了多個硬件加速模塊,作為第二代SAS 3.0 SSD產(chǎn)品,UH611a支持雙端口,順序讀寫性能2200/2000 MB/s,隨機讀寫性能430K/155K IOPS,擁有250萬小時MTBF超高可靠性,在壓力場景下性能波動極致優(yōu)化至3%。

憶聯(lián)消費級固態(tài)硬盤AM630:

業(yè)界首款采用PCIe Gen 4的OEM方案,支持低功耗L1.2功能,平均無故障工作時間長達200萬小時,憑借高性能,穩(wěn)定耐用,低功耗等特性,廣泛適用于個人電腦、服務器、工業(yè)級個人電腦等領域。

憶聯(lián)消費級固態(tài)硬盤AM521:

采用PCIe接口,支持SLC、TLC隨機讀寫,順序讀寫性能高達2100/900 MB/s,SLC隨機讀寫性能高達156K/174K IOPS,擁有128GB、256GB兩種容量,重量最大僅3.5g,工作功耗小于4W,適用于自研主控、可定制化應用場景中。


隨著新興技術的不斷更新迭代,數(shù)字化轉型已是企業(yè)發(fā)展的重要支撐和必然選擇。憶聯(lián)將不斷推動旗下存儲產(chǎn)品在數(shù)字化領域的實際應用,以持續(xù)創(chuàng)新的研發(fā)技術優(yōu)化產(chǎn)品性能,助力企業(yè)數(shù)字化發(fā)展。

消息來源:Union Memory憶聯(lián)
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