iDEAL Semiconductor推出SuperQ?技術(shù)，開(kāi)創(chuàng)硅功率器件性能新時(shí)代
該技術(shù)突破了限制硅技術(shù)發(fā)展的障礙，為客戶提供了效率更高、體積更小、成本更低的產(chǎn)品
賓夕法尼亞州利哈伊谷2023年5月16日 /美通社/ -- 專注于提供突破性電源效率的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司iDEAL Semiconductor今天宣布其專利的SuperQ技術(shù)全面上市。 SuperQ可在許多應(yīng)用中減少功率損耗，包括數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能電池板、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、醫(yī)療設(shè)備和白色家電。 其更高的效率減少了碳足跡，以實(shí)現(xiàn)更可持續(xù)的未來(lái)。
iDEAL的工程師和科學(xué)家改造了功率器件架構(gòu)，在性能上實(shí)現(xiàn)了階梯式提升。 該技術(shù)基于占全球半導(dǎo)體制造能力95%的硅，并與未來(lái)的功率半導(dǎo)體材料向前兼容。
在過(guò)去20年中，基本功率半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新有限，硅功率器件的性能已經(jīng)趨于穩(wěn)定。 進(jìn)一步提高性能的嘗試集中在材料方面，而不是擴(kuò)大硅的極限。 通過(guò)原子級(jí)的科學(xué)研究和工程設(shè)計(jì)，iDEAL Semiconductor創(chuàng)造了一種新穎的架構(gòu)，設(shè)定了性能的下一個(gè)前沿，并推翻了該行業(yè)已經(jīng)走到硅進(jìn)步之路盡頭的觀點(diǎn)。
iDEAL Semiconductor首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Mark Granahan說(shuō)："iDEAL Semiconductor是為數(shù)不多的專注于制造功率器件工藝和架構(gòu)的公司之一。 我們對(duì)硅的改進(jìn)可以與其他材料提供的改進(jìn)相媲美，但具有硅的可制造性、可用性和可靠性。 通過(guò)在美國(guó)與應(yīng)用材料公司(Applied Materials)和Polar Semiconductor的合作，我們實(shí)現(xiàn)了以前難以想象的性能提升。 不論材料如何，我們解決了對(duì)功率器件日益增長(zhǎng)的需求。 隨著當(dāng)前全球?qū)ΩG色未來(lái)的推動(dòng)，我們非常興奮能在讓產(chǎn)品更具可持續(xù)性方面發(fā)揮作用，同時(shí)也展示了對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的投資可以實(shí)現(xiàn)的成就。"
通過(guò)原子水平的科學(xué)和工程實(shí)現(xiàn)，SuperQ提供了創(chuàng)紀(jì)錄的單位面積電阻(RSP)。 該技術(shù)最初針對(duì)高達(dá)850伏(V)的電壓，為系統(tǒng)工程師提供改進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，例如二極管、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和集成電路(IC)。 例如，基于SuperQ的200V MOSFET的電阻比現(xiàn)有硅低6倍，比氮化鎵低1.6倍。 采用SuperQ技術(shù)設(shè)計(jì)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器可節(jié)省高達(dá)50%的功率損耗。 該技術(shù)是使用最先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)設(shè)備制造的。
此次發(fā)布是在C輪融資之后進(jìn)行的，使總投資超過(guò)了7500萬(wàn)美元。iDEAL的投資者是總部位于美國(guó)的高凈值家族辦公室和成功企業(yè)家，他們對(duì)發(fā)展美國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)興趣濃厚。 利用這筆資金，iDEAL Semiconductor正在積極擴(kuò)大其招聘、產(chǎn)品擴(kuò)散和美國(guó)制造能力。
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