北京2024年4月10日 /美通社/ -- EDICON CHINA 2024 (電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會(huì))于4月9日-10日在北京會(huì)議中心正式舉行,暌違三年有余,作為無(wú)線通信行業(yè)工程師的專業(yè)交流平臺(tái),大會(huì)再次召集了射頻、微波以及無(wú)線設(shè)計(jì)行業(yè)領(lǐng)域的精英企業(yè),針對(duì)當(dāng)下的通信、消費(fèi)和航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用展開(kāi)討論和技術(shù)分享。三安集成作為化合物射頻前端器件的整合服務(wù)商,應(yīng)邀參與大會(huì),并在技術(shù)報(bào)告會(huì)中做出分享。
隨著5G演進(jìn)到Rel. 18及更高,推動(dòng)著射頻前端迭代到最新的Phase 8架構(gòu),集成度進(jìn)一步提高。三安集成新一代的砷化鎵射頻器件制造工藝正是針對(duì)市場(chǎng)主流的模組化趨勢(shì),能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝阅艿慕鉀Q方案。
射頻前端PA器件功放管主要采用砷化鎵HBT工藝,追求在高頻工況下,具備高線性度、穩(wěn)定性和放大效率。三安集成通過(guò)在外延材料及工藝端的改善,發(fā)展的HP1/HP2工藝,對(duì)比起前代的HG6/HG7,在IMD3和PAE均有明顯的改善,能夠滿足在復(fù)雜工況下的信號(hào)輸出穩(wěn)定需求。同時(shí),配合新一代的銅柱工藝,實(shí)現(xiàn)晶圓的輕薄化和良好散熱特性,減小模組尺寸,縮減成本、提升整體系統(tǒng)性能。
三安集成砷化鎵研發(fā)部部長(zhǎng)郭佳衢在報(bào)告中提道,三安集成的砷化鎵HBT工藝已經(jīng)覆蓋了2/3/4G,Sub-6GHz,以及Wi-Fi 7等無(wú)線通信應(yīng)用,并向著更高頻率的應(yīng)用投入研發(fā)資源。
砷化鎵PHEMT是三安集成的另一工藝體系,目前已進(jìn)展到0.1um的工藝節(jié)點(diǎn),可以滿足客戶在Ka至W波段的高頻應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)良好的信號(hào)強(qiáng)度和低噪聲系數(shù)。成熟的P25工藝型譜則廣泛應(yīng)用于接收模組和中高功率的手機(jī)和基站,新一代P25ED51工藝相比前代在OIP3系數(shù)有明顯改善,顯現(xiàn)出出色的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
"三安集成具備豐富的大規(guī)模制造經(jīng)驗(yàn),秉持'客戶至上'的精神,為客戶和市場(chǎng)提供更高質(zhì)量的制造服務(wù),幫助客戶實(shí)現(xiàn)商業(yè)成功,共同促進(jìn)無(wú)線通信行業(yè)的發(fā)展繁榮。"郭佳衢部長(zhǎng)補(bǔ)充道。
關(guān)于三安集成
三安集成成立于2014年,是專注于化合物射頻前端芯片制造的整合解決方案提供商,提供砷化鎵射頻前端代工服務(wù),濾波器產(chǎn)品,以及先進(jìn)應(yīng)用封裝代工服務(wù)。主要服務(wù)智能手機(jī)、通信模塊、Wi-Fi和民用基站等應(yīng)用領(lǐng)域。