深圳2024年9月3日 /美通社/ -- 9月3日，由開放數(shù)據(jù)中心委員會 (ODCC) 主辦的"2024開放數(shù)據(jù)中心峰會"在北京國際會議中心隆重召開。三星電子副總裁兼閃存應用工程師團隊負責人，沈昊俊在會上發(fā)表了"跨入未來：人工智能時代的存儲創(chuàng)新"的主題演講。他深入淺出的介紹了推動社會進入生成式AI新時代的三大因素，即計算能力的飛躍，大語言模型（LLM）的精進，以及各種AI服務的興起，并進一步探討了生成式AI時代"更優(yōu)AI"的技術趨勢，指出新時代面臨的挑戰(zhàn)不僅僅是存儲器大容量的需求，隨著邁向更精密的AI模型，存儲器的高性能讀寫能力也是當下面臨的巨大挑戰(zhàn)。
三星電子副總裁，閃存應用工程師團隊負責人沈昊俊（Thomas Shim）發(fā)表主題演講
演講中，沈昊俊介紹了為解決這些問題三星半導體提出的存儲解決方案和行業(yè)主流應用趨勢。為克服性能和容量的制約，采用并行搭載HBM和DRAM的方式正在逐漸成為行業(yè)趨勢。其中HBM在性能方面扮演重要角色，DRAM則日益突破內(nèi)存容量限制，滿足市場對大容量的需求。
關于目前行業(yè)主流應用的大容量存儲產(chǎn)品，沈昊俊分別介紹了三星半導體目前單芯片容量最大32Gb的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，不久將可供應128GB/256GB等大容量封裝規(guī)格；以及擁有目前三星最高隨機寫入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。
關于性能突破方面，三星的主要代表產(chǎn)品有通過12層單die24Gb容量堆疊技術實現(xiàn)的36GB容量的HBM3E Shine Bolt，每引腳速度可達三星最快8Gbps，峰值速率高達1TB/s；于此同時三星在存內(nèi)處理技術上取得顯著進展，LPDDR5X-PIM產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)能效提高70%左右，同時可以將性能提升最多8倍。
最后，三星從總成本優(yōu)化（TCO）層面說明了CXL存儲產(chǎn)品可在任何xPU環(huán)境中擴展容量和性能，以及無需兼容性驗證即可引入和運行的優(yōu)勢，并進一步強調(diào)未來大容量趨勢中，基于QLC NAND技術的SSD產(chǎn)品BM1743未來可提供的大容量規(guī)格計劃。
三星在2024 ODCC上榮獲產(chǎn)品獎項
三星在本次2024開放數(shù)據(jù)中心峰會上獲得了"優(yōu)秀合作伙伴"的稱號，與此同時，沈昊俊也強調(diào)了在技術挑戰(zhàn)面前緊密合作的重要性。三星將一如既往地與合作伙伴和客戶攜手合作，共同克服內(nèi)存技術的挑戰(zhàn)，將不確定性轉(zhuǎn)化為機遇，攜手開創(chuàng)AI時代的未來。
