上海2015年3月13日電 /美通社/ -- 隨著集成電路設(shè)計線寬的不斷縮小，生產(chǎn)過程中對于污染物的控制變得空前嚴格，隨之而來的便是單片清洗工藝步驟的增加。以目前集成電路最為主流的28納米產(chǎn)品為例，單片清洗步驟約占到總步驟的1/4。作為國內(nèi)僅有的從事集成電路清洗設(shè)備的公司，盛美半導(dǎo)體所做的便是不斷進行內(nèi)功修煉，以滿足主流集成電路生產(chǎn)的需求，目前在新產(chǎn)品上研發(fā)及相關(guān)評估上已有所突破。
去年Semicon China期間，盛美半導(dǎo)體帶來了Ultra C SAPS III單片兆聲波清洗機。該臺清洗機在配合超稀化學(xué)液體 (ppm級別)使用后，可用于微小顆粒（小于65nm）去除以及化學(xué)氧化層控制，以替代傳統(tǒng)‘Nano Spray’清洗技術(shù)，在薄膜沉積后的清洗領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。盛美半導(dǎo)體的首席執(zhí)行官王暉介紹稱 “經(jīng)過不斷優(yōu)化，該清洗機已于近日通過了韓國集成電路大廠的大生產(chǎn)線工藝評估，有望成為下一代微小顆粒清洗的主流設(shè)備”。
高產(chǎn)能、高良率、低占地面積是Ultra C SAPS III的二大亮點：該單片清洗機采用了兩套機械傳輸機構(gòu)，產(chǎn)能可以提升約15%。同時，該設(shè)備采用了三維堆棧結(jié)構(gòu)，占地面積可以大大減小，僅為上一代8腔體單片清洗機的45%。
